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2차원 스캐너를 통하여 가공하고자 하는 자유곡면에 미세 패턴, 커팅
레이저 및 빔 전달 광학계는 실험실에서 자유롭게 분리 및 재 정렬할 수 있는 구조이며, 빔 선 폭은 f# MIN.20~30 까지 선택적으로 조정
가공대상체는 비금속 및 금속등의 다양한 실험 대상 재료에 잘 가공되며, 가공선폭은 최소 15um 이내
가공 대상물에 따른 Z축 높이 조절이 100mm 이상
레이저의 안정성, 온도 유지를 위한 장비의 내구성이 확보 되어있고 외부로 노출되는 UV Beam는 별도 구성
가공용 S/W는 통신과 로그데이터를 실시간 사용자 메인 PC로 지원됨
광학용 규격 테이블에 설치되어 있으며, 자유로운 이동 및 설치
External INTERLOCK 기능
레이저 파장: 266nm, 355nm, 532nm, 808nm, 940nm, 1064nm, 1980nm, 2940nm 등 다양한 레이저 선택
레이저출력: 레이저사양에 따라 1W 에서 부터 ~300W 까지 탑재
가공영역: 100mm x 100mm, 210mm x 210mm
가공선폭: 15um to 50um
Standard Model & Spec
| 카트 담기 | download |
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스펙 설명
Wavelength 354.7 nm
Average Power 1 - 5 W
Energy per Pulse < 200 μJ
Mode (M²) TEMoo (M² < 1.3)
Beam Diameter (1/e²) See Chart
Pulse to Pulse Stability (30 - 100 kHz) < 15%
Power Stability (8 hrs. at const. temp.) < 5%
Ellipticity < 10%
Astigmatism < 0.3
MARKING PERFORMANCE
Marking Accuracy < 1.5 mrad
Marking Repeatability < 22 μrad
ELECTRICAL
Input Voltage 90 - 240 VAC
Power Consumption (max.) 900 W
Ambient Temp. (non-condensing) 10 - 35° C
PHYSICAL
용도:
Laser Marking
Solar Cell Processing
Thick/Thin Film Laser Trimming
ITO Removal
Sapphire Scribing
Micromachining
Direct Write/Repair
Micro-via Hole Drilling
Wafer processing
Polyimide Cutting & Drilling
PFA Teflon Marking
Photo Bleaching
